| 发明名称 | 在晶体化过程中添增掺质半导体进料的半导体固化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于半导体固化的方法，包含下列步骤：将含有掺质的第一半导体材料构成的熔化半导体进行浸浴；将熔化半导体进行固化，并且另外包含，在固化过程中包括一或更多步骤，将亦含有掺质的补充性半导体材料添增至熔化半导体进行浸浴。本发明使在整个经固化的半导体上拥有均齐的电阻率，同时避免在该半导体的整个或绝大部分上的导电性类型变化，这样可不致负面地影响到用所获得的半导体制成的装置的电气性质。 | ||
| 申请公布号 | CN103088407A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201010300027.4 | 申请日期 | 2010.01.04 |
| 申请人 | 法国原子能委员会 | 发明人 | 斯万特˙佛罗伦萨;卡梅尔˙丹尼斯 |
| 分类号 | C30B15/04(2006.01)I;C30B11/04(2006.01)I;C30B13/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市兰台律师事务所 11354 | 代理人 | 张峰 |
| 主权项 | 1.在晶体化过程中添增掺质半导体进料的半导体固化方法，其特征在于：包含至少下列步骤：-将含有至少一种掺质的第一半导体材料构成的一熔化半导体进行浸浴，-将所述熔化半导体进行固化，并且另外包含，在所述熔化半导体的固化过程中，在该固化方法的至少一部份过程里，包括将一份或更多份含有掺质的补充性半导体材料添增在所述熔化半导体中进行浸浴，而相对于由所述掺质的分离系数的数值所自然达到的变化性，降低在所述浸浴中所述熔化半导体的<img file="F201010300027420100104C000011.GIF" wi="332" he="81" />项的数值的变化性，从而使得：<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><mrow><mo>(</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>-</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>j</mi></msubsup><mo>)</mo></mrow><mo><</mo><mrow><mo>(</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>-</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>j</mi></msubsup><mo>)</mo></mrow></mrow></math>]]></maths>若<maths num="0002"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>></mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>j</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths><maths num="0003"><![CDATA[<math><mrow><mrow><mo>(</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>-</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>j</mi></msubsup><mo>)</mo></mrow><mo>></mo><mrow><mo>(</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>-</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>j</mi></msubsup><mo>)</mo></mrow></mrow></math>]]></maths>若<maths num="0004"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup><mo><</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>j</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths>并且，相对于由添增纯掺质所达到的变化性，这可降低在所述浸浴中所述熔化半导体的<img file="F201010300027420100104C000016.GIF" wi="350" he="81" />项的数值，使得：<maths num="0005"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>i</mi></msubsup><mo><</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths>并且<maths num="0006"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>j</mi></msubsup><mo><</mo><mn>2</mn><mover><mi>Σ</mi><mrow><mi>n</mi><mo>+</mo><mi>m</mi></mrow></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths>若<maths num="0007"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>></mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>j</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths><maths num="0008"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>j</mi></msubsup><mo><</mo><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>j</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths>并且<maths num="0009"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>a</mi><mi>i</mi></msubsup><mo><</mo><mn>2</mn><mover><mi>Σ</mi><mrow><mi>n</mi><mo>+</mo><mi>m</mi></mrow></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths>若<maths num="0010"><![CDATA[<math><mrow><mover><mi>Σ</mi><mi>n</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>i</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>></mo><mover><mi>Σ</mi><mi>m</mi></mover><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>-</mo><msub><mi>k</mi><mi>j</mi></msub><mo>)</mo></mrow><msubsup><mi>C</mi><mi>L</mi><mi>j</mi></msubsup></mrow></math>]]></maths>其中CLi：在所述熔化半导体浸浴内的电子接受掺质i的浓度；CLj：在熔化半导体浸浴内的电子给予掺质j的浓度；Cai：在所述补充性半导体材料内的电子接受掺质i的浓度；Caj：在所述补充性半导体材料内的电子给予掺质j的浓度；ki：所述电子接受掺质i的分离系数，kj：所述电子给予掺质j的分离系数。 | ||
| 地址 | 法国巴黎市波南特D楼乐布莱克街25号 | ||