互连结构制造方法

摘要

本发明提供一种互连结构制造方法，先在层间介质层中刻蚀金属布线沟槽，然后对金属布线沟槽铜电镀完成后去掉层间介质层再沉积低K介质层，避免了现有技术的金属布线工艺中金属布线沟槽刻蚀时造成的两侧低k介质损伤，以及防止对金属布线沟槽铜电镀时，使用Ta/TaN等阻挡籽晶层而造成的金属布线沟槽的底部低k介质层损伤，进而确保了铜布线的最终形貌并避免器件漏电的可能性，从而获得较好的铜填充性能，提高金属布线质量以及器件的可靠性和电学性能。

主权项

一种互连结构制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括介电层以及位于所述介电层上方的阻挡层；在所述半导体衬底上依次形成层间介质层和掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层形成金属布线沟槽；移除所述掩膜层，对所述金属布线沟槽进行铜电镀并进行化学机械研磨使其平坦化，形成填满所述金属布线沟槽的铜填充；移除所述层间介质层，并对暴露出来的铜填充进行表面处理；在所述半导体衬底上沉积低K介质层，并化学机械平坦化所述低K介质层以暴露出所述铜填充顶部；在所述低K介质层和所述铜填充上方形成覆盖层，形成金属布线结构。