| 发明名称 | 流体产品分配设备的表面处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及流体产品分配设备的表面处理方法。该方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述表面具有限制在改性的所述表面上形成生物膜并因而限制细菌的出现和/或繁殖的性能。所述多电荷离子选自氦、硼、碳、氮、氧、氖、氩、氪、氙，离子植入进行至0至3μm的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN103097571A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201180037686.6 | 申请日期 | 2011.07.01 |
| 申请人 | 阿普塔尔法国简易股份公司 | 发明人 | P·布吕纳;D·比萨多 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01)I;A61F9/00(2006.01)I;A61L2/16(2006.01)I;C08J7/18(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;A61J1/00(2006.01)I;A61M15/00(2006.01)I;B65D1/00(2006.01)I;B05B11/00(2006.01)I;A61M11/00(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杨勇 |
| 主权项 | 流体产品分配设备的表面处理方法，其特征在于所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述表面具有限制在改性的所述表面上细菌的出现和/或繁殖的性能，所述多电荷离子选自氦（He）、硼（B）、碳（C）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。 | ||
| 地址 | 法国勒讷堡 | ||