| 摘要 |
L'invention concerne un transistor DMOS sur SOI comprenant une grille allongée (7) s'étendant sur toute la largeur d'une zone active ; une région de drain (5) d'un premier type de conductivité s'étendant sur toute la largeur de la zone active ; une région de source (18) du premier type de conductivité s'étendant parallèlement à la grille et s'arrêtant avant la limite de la zone active au moins d'un côté de la largeur du transistor, un intervalle (d) existant entre la limite de la région de source et la limite de la zone active ; une région de corps (10, 30) d'un deuxième type de conductivité s'étendant sous la grille et dans ledit intervalle ; une région (31) plus fortement dopée du deuxième type de conductivité s'étendant sur une partie (dl) dudit intervalle du côté de la limite de la zone active ; et une métallisation de source allongée (MS) s'étendant sur toute la largeur de la zone active.
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