| 摘要 |
<p>La présente invention concerne des appareils, des procédés et des systèmes pour circuit intégré (CI), tel qu'un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) ou un transistor à effet de champ métal - isolant - semi-conducteur (MISFET) ou leurs combinaisons. Le circuit intégré (100) comprend une couche tampon (104) formée sur un substrat (102), une couche barrière (106) formée sur la couche tampon, la couche barrière comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga), une couche de coiffe (108) formée sur la couche barrière, la couche de coiffe comprenant de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga), et une grille (118) formée sur la couche de coiffe, la grille étant directement couplée à la couche de coiffe. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation.</p> |
