一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜，然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体有序化阵列结构，最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物有序微/纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物微/纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。

主权项

一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①将十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩溶于氯仿中，十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩的浓度为0.5mg/ml，形成单体单分子溶液；②采用微量进样器抽取150 μl十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩/氯仿溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面，待氯仿挥发20 min后开始压膜，此时在气/液界面已形成十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩单分子膜；④控制LB拉膜机滑障以3 mm/min的速度压缩单体单分子膜到膜压30 mN/m，将亲水处理后的基片采用垂直成膜的方式将单分子膜转移至基片上，成膜速率为0.5mm/min；⑤将沉积了十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩有序薄膜的基片放入电子束刻蚀系统进行刻蚀，刻蚀线宽为250纳米，得到十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩有序纳米线结构阵列；⑥将沉积了十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩有序纳米线阵列结构的基片放入HCl气体气氛中进行聚合，聚合时间为45分钟，反应温度为室温，得到导电聚合物聚十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩有序纳米线结构阵列。