| 发明名称 | 含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器 | ||
| 摘要 | 本发明提供含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器，所述含碳化硅颗粒含有碳化硅，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上。所述方法是使用所述含碳化硅颗粒制造碳化硅质烧结体的方法，所述碳化硅质烧结体是通过使用所述含碳化硅颗粒得到的，所述过滤器包含所述碳化硅质烧结体。 | ||
| 申请公布号 | CN101146742B | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN200580049218.5 | 申请日期 | 2005.09.14 |
| 申请人 | 揖斐电株式会社 | 发明人 | 神山达也;高松昇司 |
| 分类号 | C01B31/36(2006.01)I;B01D39/20(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 一种碳化硅质烧结体，该烧结体是通过对含有含碳化硅颗粒的物体进行烧制而得到的，所述含碳化硅颗粒含有碳化硅，所述碳化硅质烧结体包含蜂窝结构，其特征在于，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上，并且，所述碳化硅质烧结体的表面具有氧化层。 | ||
| 地址 | 日本岐阜县 | ||