一种利用CdTe量子点荧光探针检测痕量土霉素的方法

摘要

本发明公开了一种利用CdTe量子点荧光探针检测痕量土霉素的方法。以CdTe量子点为荧光探针，利用土霉素与CdTe量子点通过静电相互作用结合形成新的复合体系，造成CdTe量子点荧光发生猝灭，从而建立了一种测定痕量土霉素的方法。CdTe量子点荧光猝灭量与赤霉素的浓度在8×10-9~2×10-7mol/L浓度范围内呈良好的线性关系，方法检出限为2.72×10-10mol/L。本发明克服了已有技术在检测时存在灵敏度低、反应时间长、稳定差、应用范围窄等缺点，更好地提高了灵敏度和选择性，对于低浓度的土霉素的检测更加方便快速。

主权项

一种利用CdTe量子点荧光探针检测痕量土霉素的方法，其特征在于具体步骤为：CdTe量子点的制备：（1）称取0.03~0.06g 碲粉和0.10~0.2 g NaBH4置于洁净的三口烧瓶中，混合均匀，加入2 ~5mL二次去离子水，在65℃水浴和磁力搅拌下反应20分钟，得到NaHTe水溶液；（2）在氮气保护下，在200 mL浓度为0.002~0.004mol/L的CdCl2水溶液中，加入0.10 ~0.20mL分析纯巯基乙酸，调节pH为10~11，强搅拌下，迅速加入2.0 mL 步骤（一）第1步所得的NaHTe水溶液，于95℃下回流1.5~3小时，获得水溶性CdTe量子点；（3）将步骤（一）第2步制得的CdTe量子点分别放入透析袋中，用pH=8.6的Tris‑HCl缓冲溶液透析过夜，透析后的溶液真空干燥，再用pH=8.6的Tris‑HCl缓冲溶液溶解，制得CdTe量子点溶液；二、检测方法：分别将500μL步骤（一）第3步制备得到的CdTe量子点溶液、10μL 聚乙烯醇表面活性剂和10~20 μL土霉素溶液加入到5mL的比色管中，用0.05 mol/L的Tris‑HCl缓冲溶液定容至刻度，Tris‑HCl缓冲溶液pH=8.6，比色管中土霉素的浓度为8×10‑9~2×10‑7 mol/L；反应充分后用RF‑5301PC荧光光度计进行荧光强度检测，激发波长为400 nm，激发和发射狭缝宽度均为5nm；三、工作曲线的绘制：在5 mL比色管中分别加入500μL步骤（一）第3步制备得到的CdTe量子点溶液、10μL 聚乙烯醇表面活性剂、10~20 μL土霉素溶液，用0.05mol/L的Tris‑HCl缓冲溶液定容至刻度，Tris‑HCl缓冲溶液pH=8.6，比色管中土霉素的浓度为8×10‑9~2×10‑7 mol/L，充分摇匀后放置反应3分钟，进行荧光强度检测；土霉素在8×10‑9~2×10‑7mol/L范围内，土霉素的浓度C与荧光猝灭量即△IF呈良好的线性关系，其线性回归方程为：ΔIF = 0.696 C + 4.525，线性相关系数r = 0.9996。