| 发明名称 | ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控，进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。 | ||
| 申请公布号 | CN103074576A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201310044088.2 | 申请日期 | 2013.02.04 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 林元华;张玉骏;罗屹东;南策文 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种ZnO基稀磁半导体薄膜，其组成为Zn0.9M0.05R0.05O或Zn0.95M0.05O；其中，M为Co或Mn，R为Mg或Cd。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室 | ||