| 发明名称 | 芳香族化合物的制造方法及利用该方法得到的芳香族化合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供可以有效地降低芳香族化合物中所含的卤元素含量的芳香族化合物的制造方法，及利用该方法制造的作为用于获得长寿命的有机EL元件的材料来说十分有用的芳香族化合物。本发明提供通过使经由含卤素中间体制造的卤元素含量为10～1000质量ppm的芳香族化合物再与脱卤化剂反应，而将卤元素含量设为10质量ppm以下的芳香族化合物的制造方法，以及利用该方法制造的芳香族化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101263097B | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN200680033108.4 | 申请日期 | 2006.06.16 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 森胁文雄;松浪秀博;井上哲也 |
| 分类号 | C07C7/148(2006.01)I;C07C209/84(2006.01)I;C07C7/17(2006.01)I;C07C211/54(2006.01)I;C07C7/173(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;C07C15/28(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | C07C7/148(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种芳香族化合物的制造方法，其特征是，通过使经由含卤素中间体制造的卤元素含量为10～1000质量ppm的、在分子内具有环碳数为14～20的稠合芳香族环或者在分子内具有1～12个氮原子的芳香族化合物再与脱卤化剂反应，而使卤元素含量为1质量ppm以下，所述脱卤化剂是选自格利雅试剂、有机锂化合物及硼酸衍生物中的至少一种。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||