| 发明名称 | 分栅型非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种分栅型非易失性存储器，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的两个分离的结构单元，所述结构单元包括依次位于半导体衬底上的耦合介质层、浮栅、隔离介质层，第一耦合传导层和支撑介质层；位于两个分离的结构单元之间的半导体衬底内的源极；位于两个分离的浮栅结构、隔离介质层以及部分第一耦合传导层内侧壁的第一侧壁层；填充两个分离的结构单元之间的间隙，并与第一耦合传导层电接触的第二耦合传导层；位于两个分离的结构单元外侧壁和所述结构单元外侧半导体衬底上，呈L型的隧道介质层；位于L型的隧道介质层外侧的控制栅极；位于控制栅极外侧半导体衬底内的漏极。所述结构提高了该存储器的编程能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101777561B | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201010022707.4 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 江红 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种分栅型非易失性存储器，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的两个分离的结构单元，所述结构单元包括依次位于半导体衬底上的耦合介质层、浮栅、隔离介质层，第一耦合传导层和支撑介质层；位于两个分离的结构单元之间的半导体衬底内的源极；位于两个分离的耦合介质层、浮栅、隔离介质层以及部分第一耦合传导层内侧壁的第一侧壁层；填充两个分离的结构单元之间的间隙，并与第一耦合传导层电接触的第二耦合传导层；位于两个分离的结构单元外侧壁和所述结构单元外侧半导体衬底上，呈L型的隧道介质层；位于L型的隧道介质层外侧的控制栅极；位于控制栅极外侧半导体衬底内的漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||