| 发明名称 | 倒角基板布线方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种倒角基板布线方法。该方法重要是包括以下步骤，这些步骤包括：借助于等离子体在所述基板(4)的外周环形区(400)上淀积一层保护材料(6)；借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料(6)，以便在待布线的所述基板(4)的正面(41)上保留保护材料环(60)，该环(60)距所述基板的边缘(43)一定距离延伸，并由此界定可到达的外周环形区(400’)；借助于在所述可到达的外周环形区(400’)上的等离子体对构成待布线的所述基板(4)的材料蚀刻一定厚度；借助于等离子体移除所述保护材料环(60)。本发明还涉及在电子学、光学或者光电子学领域中的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102136413B | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201010585290.2 | 申请日期 | 2010.12.10 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 沃尔特·施瓦岑贝格;阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯;亚历山大·切布克;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 党晓林;王小东 |
| 主权项 | 一种倒角基板（4）布线方法，其特征在于，该方法包括以下步骤，这些步骤包括：‑借助于等离子体在所述基板（4）的外周环形区（400）上淀积一层保护材料（6）；‑借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料（6），以便在待布线的所述基板（4）的正面（41）上保留保护材料环（60），该环（60）距所述基板的边缘（43）一定距离延伸，并由此界定所述基板的缩小的外周环形区（400’），等离子体可到达该缩小的外周环形区；‑产生部分蚀刻等离子体，该部分蚀刻等离子体被局限在可到达的所述缩小的外周环形区（400’）上，以便对该区中存在的材料蚀刻一定厚度；‑借助于等离子体移除所述保护材料环（60）。 | ||
| 地址 | 法国克莱斯 | ||