| 发明名称 | 主动矩阵式有机发光二极管显示装置及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置及其制作方法，所述显示装置包括：基板、及分别设于基板上的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括设于基板上的第一栅极、设于第一栅极上的第一有源层、及设于第一有源层上的第一源/漏极，第二薄膜晶体管包括与第一有源层同层的第二有源层、设于第二有源层上的第二栅极、及设于第二有源层上的第二源/漏极。本发明的主动矩阵式有机发光二极管显示装置及其制作方法，其通过增加一层金属层使得第一与第二栅极分开制成，有效的提高了主动矩阵式有机发光二极管显示装置的分辨率，相比现有技术，本发明的制程相对较少，进而有效的降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103077957A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201310057684.4 | 申请日期 | 2013.02.22 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 吴元均 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括：基板、分别设于基板上的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括设于基板上的第一栅极、设于第一栅极上的第一有源层、及设于第一有源层上的第一源/漏极，第二薄膜晶体管包括与第一有源层同层的第二有源层、设于第二有源层上的第二栅极、及设于第二有源层上的第二源/漏极。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||