| 发明名称 | 带空气间隙结构的半导体功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种带空气间隙结构的半导体功率器件，该半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。本发明还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本发明通过在半导体功率器件宽深的电子漂移(扩散)区，制作空气间隙，减少了电子漂移区的通道面积，从而降低了器件在电力关断时的反向电流和关断时间，有效提高了半导体功率器件的工作效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103077958A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201110327945.0 | 申请日期 | 2011.10.25 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李伟峰 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 一种带空气间隙结构的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||