发明名称 固态成像装置
摘要 在固态成像装置中,载流子保持部(102)被布置在相对于光电转换部(101)沿第一方向(201)的位置处,浮置扩散区域(103)被布置在相对于载流子保持部沿与第一方向垂直的第二方向(202)的位置处,并且传输部(105)被夹在浮置扩散区域和载流子保持部之间,包括在第一像素中的载流子保持部被布置在包括在第一像素中的光电转换部和包括在第二像素中的光电转换部之间,包括在第一像素内的载流子保持部被遮光部(303,304)覆盖,并且所述遮光部在包括在第一像素和第二像素中的各光电转换部的一部分上延伸。
申请公布号 CN102017149B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN200980115035.7 申请日期 2009.04.23
申请人 佳能株式会社 发明人 山下雄一郎
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 康建忠
主权项 一种固态成像装置,包括在半导体基板上二维布置的多个像素,其中每个像素包括光电转换部,用于产生信号载流子;能够保持信号载流子的载流子保持部,所述载流子保持部具有能够积累信号载流子的第一导电类型的半导体区域以及布置在所述半导体区域上方的控制电极,在所述半导体区域和所述控制电极之间夹有绝缘膜;第一导电类型的浮置扩散区域;以及传输部,用于控制所述第一导电类型的半导体区域和所述浮置扩散区域之间的电连接,其中在同一像素内,所述第一导电类型的半导体区域被布置在相对于所述光电转换部沿第一方向的位置处,所述浮置扩散区域被布置在相对于所述第一导电类型的半导体区域沿垂直于第一方向的第二方向的位置处,所述传输部被夹在所述浮置扩散区域和所述第一导电类型的半导体区域之间,所述多个像素包括第一像素和沿所述第一方向与第一像素相邻布置的第二像素,包括在第一像素中的所述第一导电类型的半导体区域被布置在包括在第一像素和第二像素中的光电转换部之间,包括在第一像素中的载流子保持部被遮光部覆盖,并且所述遮光部延伸到在第一像素和第二像素的每一个中的各光电转换部的一部分,其中,包含绝缘体的元件隔离区域被布置在第一像素中的第一导电类型的半导体区域和第二像素的光电转换部之间,以及其中,所述第一像素的遮光部经过所述元件隔离区域上方延伸至所述第二像素的所述光电转换部的上部部分而不在所述元件隔离区域上构图。
地址 日本东京
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