发明名称 一种MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法
摘要 一种MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法,采用射频等离子体增强CVD系统制备,将六水合硝酸镁、六水合硝酸镍溶于乙醇中,作为催化生长MgO纳米带-C纳米管复合材料的前驱体;将混合溶液均匀滴涂在基片上,置于射频等离子体增强CVD的沉积台上,加热分解形成MgO和NiO,通入保护气体和氢气,使得NiO在氢等离子体作用下被还原为Ni纳米金属颗粒,获得Ni-MgO催化体系;通入碳源气体,在其等离子气氛下生长MgO纳米带-C纳米管复合材料。本发明的优点是:制备工艺简单、成本低、合成温度低、产品纯度高,工业化批量生产及应用潜力巨大,在催化剂、生化传感器、微波吸收等光、电、磁、化学领域有广泛的应用前景。
申请公布号 CN103073033A 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201310028460.0 申请日期 2013.01.25
申请人 天津理工大学 发明人 李明吉;王秀锋;李红姬;狄海荣;曲长庆
分类号 C01F5/06(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01F5/06(2006.01)I
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人 侯力
主权项 一种MgO纳米带‑C纳米管复合材料的制备方法,其特征在于:采用射频等离子体增强CVD系统制备,步骤如下:1)将六水合硝酸镍和六水合硝酸镁溶于乙醇中,制得混合溶液作为催化剂前驱体;2)将上述混合溶液均匀滴涂在基片上,置于红外灯下烘干,然后放于射频等离子体增强CVD系统沉积室的沉积台上;3)关闭沉积室并抽真空,当真空度小于0.1Pa时,通入流量为5‑200mL/min的保护气体和10‑300mL/min的H2,当压强回升至100‑1000Pa时,将样品台在350‑1000℃的条件下加热0.5‑2.5小时,使前驱物热分解形成MgO和NiO;4)施加50‑500W的射频功率,在氢等离子体的作用下还原NiO,还原时间为0.5‑2.5小时,形成Ni纳米金属颗粒,获得MgO纳米带‑C纳米管复合材料生长所需的Ni‑MgO催化体系;5)通入气体流量为10‑200mL/min的碳源气体,在压强为20‑1000Pa、衬底温度为300‑1000℃条件下,施加射频功率50‑500W,反应0.5‑4.5个小时,连续生长即可制得MgO纳米带‑C纳米管复合材料。
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