| 发明名称 | 基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器 | ||
| 摘要 | 一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器，包括：一缓冲层；一下波导层，该下波导层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下包层上；一光栅层，该光栅层制作在多量子阱有源层上；一上波导层，该上波导层制作在光栅层上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；一P电极，该P电极制作在接触层上；一N电极，该N电极制作在缓冲层的背面。本发明可以克服外部反射光对激光器内部的影响，压窄激光线宽，增加激光器的频率稳定性和增大输出功率的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN103078250A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201310019361.6 | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘建国;郭锦锦;黄宁博;孙文惠;邓晔;祝宁华 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器，包括：一缓冲层；一下波导层，该下波导层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下包层上；一光栅层，该光栅层制作在多量子阱有源层上；一上波导层，该上波导层制作在光栅层上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；一P电极，该P电极制作在接触层上；一N电极，该N电极制作在缓冲层的背面。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||