一种可避免空洞的电镀铜的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，具体来说是一种可避免空洞的电镀铜的方法。包括以下步骤：在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；在所述沟槽的表面以及晶圆的上表面添加添加剂；使用4～5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为5～6秒，填充铜的厚度为130～140埃；分三步对所述沟槽以不同大小的电流通过电镀方式填充不同厚度的铜；淀积：使用41～42安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为10～14转每分钟，填充时间为10～14秒，填充铜的厚度为3510～3520埃。本发明能防止在电镀的过程中产生空洞以及过早封口。

主权项

一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；步骤二，在所述晶圆的上表面添加平坦剂，在所述沟槽的底部添加加速剂，在所述沟槽上部的拐角处添加抑制剂；步骤三，种籽修复：使用4～5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为5～6秒，填充铜的厚度为130～140埃；步骤四，填充：使用6～7安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为85～95秒，填充铜的厚度为3265～3275埃；步骤五，填充：使用13～14安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为115～125秒，填充铜的厚度为8715～8725埃；步骤六：填充：使用25～29安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为25～35秒，填充铜的厚度为4355～4365埃；步骤七，淀积：使用41～42安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为10～14转每分钟，填充时间为10～14秒，填充铜的厚度为3510～3520埃。