发明名称 一种电泳辅助的造渣除硼方法
摘要 本发明涉及太阳能级多晶硅提纯领域,尤其是涉及一种电泳辅助的造渣除硼方法。所述的方法包括以下步骤:将原料硅装入石墨坩埚中,完全熔化为硅液;保持硅液温度在1500~1800℃,将造渣剂加入硅液中造渣;向石墨坩埚中硅液施加直流电压,使反应后的硼化物及金属杂质向负极迁移;将硅液进行定向凝固,冷却后取出硅锭,并切除上层杂质富集区,得到提纯后的多晶硅。本发明的方法可以在去除硼化物的同时,去除一部分的金属杂质;并且降低了造渣剂的用量,降低的成本,减少了工业废料。
申请公布号 CN103072994A 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201310044709.7 申请日期 2013.02.04
申请人 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 发明人 李伟生;龚炳生;陈晓萍
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 代理人 王明霞
主权项 一种电泳辅助的造渣除硼方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:(1)将原料硅装入石墨坩埚中感应加热至完全熔化为硅液,保持硅液温度在1500~1800℃;(2)将造渣剂加入硅液中,加热熔化后与硅液充分接触反应;(3)将石墨板放置于熔融硅液的上表面,石墨板与外界直流电压的负极相接,石墨坩埚与外界直流电压的正极相接,向石墨坩埚施加直流电压,通电1~6小时后,使反应后的硼化物及金属杂质向负极迁移进入渣中;(4)保持硅液温度在1450~1550℃,在通电状态下,石墨坩埚以0.10~0.15mm/min的速率下降,离开加热区,进行定向凝固,冷却后取出硅锭,并切除上层杂质富集区,得到提纯后的多晶硅。
地址 364211 福建省龙岩市上坑县南阳镇马洋洞沿河路1号