| 摘要 |
1. Многоуровневый магнитный элемент (2), содержащий первый туннельный барьерный слой (22) между мягким ферромагнитным слоем (23), имеющим намагниченность, которая может быть свободно выстроена, и первым твердым ферромагнитным слоем (21), имеющим намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге (Tw3) и способна свободно выстраиваться при первом высоком температурном пороге (Tw1); отличающийся тем, чтомагнитный элемент (2) дополнительно содержит второй туннельный барьерный слой (24) и второй твердый ферромагнитный слой (25), имеющий намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге (Tw3) и способна свободно выстраиваться при втором высоком температурном пороге (Tw2); где мягкий ферромагнитный слой (23) образован между первым и вторым туннельными барьерными слоями (22, 24).2. Магнитный элемент (2) по п.1, где первый высокий температурный порог (Tw1) первого антиферромагнитного слоя (20), по существу, равен второму высокому температурному порогу (Tw2) второго антиферромагнитного слоя (24).3. Магнитный элемент (2) по п.1, гдепервый туннельный барьерный слой (22) имеет произведение сопротивление первого перехода-площадь (RA), которое, по существу, равно произведению сопротивление второго перехода-площадь (RA) второго туннельного барьерного слоя (24).4. Магнитный элемент (2) по п.1, где первый высокий температурный порог (Tw1) первого антиферромагнитного слоя (20) выше, чем второй высокий температурный порог (Tw2) второго антиферромагнитного слоя (24).5. Магнитный элемент (2) по п.1, где первый твердый ферромагнитный слой (21) и второй твердый ферромагнитный слой (25) имеют разные магнитные моменты.6. Магнитный элемент |
