MOS一次可编程器件

摘要

本发明公开了一种MOS一次可编程器件，包括一耦合电容和一NMOS，耦合电容的一端同NMOS浮栅多晶硅层相连，利用电容耦合电压使NMOS发生热电子注入，热电子穿透栅氧化势垒后存储在浮栅多晶硅层上，完成编程工作，还包括一PMOS，PMOS栅同NMOS浮栅共用同一多晶硅层，PMOS漏极初始状态阈值电压为负，编程后存储在浮栅晶硅层上的电子使PMOS沟道反型，阈值电压为正，基于编程前后PMOS沟道电流的变化，区分存储单元意义上的0和1。该MOS一次可编程器件能用零伏电压读取数据，而且具有非常大的编程前后电流差异窗口。

主权项

一种MOS一次可编程器件，包括一耦合电容和一NMOS，耦合电容的一端同NMOS浮栅多晶硅层相连，利用电容耦合电压使NMOS发生热电子注入，热电子穿透栅氧化势垒后存储在浮栅多晶硅层上，完成编程工作，其特征在于，还包括一PMOS，所述PMOS栅同所述NMOS浮栅共用同一多晶硅层，所述PMOS漏极初始状态阈值电压为负，编程后存储在浮栅晶硅层上的电子使PMOS沟道反型，阈值电压为正，基于编程前后PMOS沟道电流的变化，区分存储单元意义上的0和1；对该MOS一次可编程器件进行编程时，所述NMOS的源和P阱接地，所述PMOS的源和N阱接电源正，所述耦合电容连接的字线电压为高电压，所述NMOS漏连接的编程线电压为高电压，所述PMOS漏连接的位线电压为高电压；对该MOS一次可编程器件进行读取时，所述NMOS的源和P阱接地，所述PMOS的源和N阱接电源正，所述耦合电容连接的字线电压为低电压，所述NMOS漏连接的编程线电压为低电压，所述PMOS漏连接的位线电压为高电压。