| 发明名称 | 半导体器件和用于形成该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件和用于形成该半导体器件的方法。在埋入式位线处形成反熔丝，以使反熔丝所占据的面积小于常规的平面栅极型反熔丝所占据的面积，并且使绝缘膜的断开效率提高。这样提高了半导体器件的可靠性和稳定性。半导体器件包括：线图案，其形成在半导体基板上；器件隔离膜，其形成在线图案的中心部分处；接触部分，其形成在线图案的两侧处，并且被构造为包括形成在线图案上的氧化物膜；以及位线，其形成在线图案之间的底部处并且与接触部分相连。 | ||
| 申请公布号 | CN103066055A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201210020290.7 | 申请日期 | 2012.01.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金正三 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C5/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：线图案，其形成在半导体基板上；器件隔离膜，其形成在所述线图案的中心部分处；接触部分，其形成在所述线图案的两侧，并且被构造为包括形成在所述线图案上的氧化物膜；以及位线，其形成在所述线图案之间的底部处并且与所述接触部分相连。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||