碳化硅半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种碳化硅半导体元件，其具备：位于第1导电型的漂移层上的第2导电型的体区域；位于体区域上的第1导电型的杂质区域；贯通体区域及杂质区域并抵达漂移层的沟槽；配置于沟槽的表面上的栅极绝缘膜；以及配置于栅极绝缘膜上的栅电极，沟槽的表面包括第1侧面、及与第1侧面对置的第2侧面，体区域之中位于第1侧面的部分的至少一部分的第2导电型的掺杂物浓度要比体区域之中位于第2侧面的部分的第2导电型的掺杂物浓度更大。

主权项

一种碳化硅半导体元件，其具备：第1导电型的半导体基板；位于所述半导体基板的主面上的第1导电型的漂移层；位于所述漂移层上的第2导电型的体区域；位于所述体区域上的第1导电型的杂质区域；贯通所述体区域及所述杂质区域并抵达所述漂移层的沟槽；被配置在所述沟槽的表面上的栅极绝缘膜；被配置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；与所述杂质区域相接的第1电极；以及被配置于所述半导体基板的背面的第2电极，所述沟槽的表面包括第1侧面以及与所述第1侧面对置的第2侧面，所述体区域之中位于所述第1侧面的部分的至少一部分的第2导电型的掺杂物浓度比所述体区域之中位于所述第2侧面的部分的第2导电型的掺杂物浓度更大。