| 发明名称 | 用于半导体发光器件的钝化 | ||
| 摘要 | 钝化层（34）设置在半导体结构（20）的一侧上，所述半导体结构包括设置在n型区域（22）和p型区域（26）之间的发光层（24）。配置为粘附到底部填充物（58）的材料（38）设置在半导体结构的蚀刻表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN103069589A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201180028217.8 | 申请日期 | 2011.05.11 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | F.S.迪雅纳;H.K-H.朝;Q.莫;S.L.鲁达滋;F.L.韦;D.A.斯泰格瓦尔德 |
| 分类号 | H01L33/44(2006.01)I;H01L33/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 初媛媛;汪扬 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供结构，该结构包括： 晶片，包括多个半导体发光器件，每个发光器件包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层； 钝化层，设置在各半导体发光器件中至少一个的一侧上；以及 第一材料，设置在两个半导体发光器件之间的晶片上；在所述结构和底座之间设置第二材料，其中所述第一材料配置为粘附到所述第二材料；以及将所述结构附接到所述底座。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||