半导体器件精细图案的制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件精细图案的制作方法，该方法将图案化的光阻胶层作为第一次掩膜图形，然后对多晶硅或者非晶硅进行氧化，采用氧化硅作为第二次掩膜图形，将重复的精细图案转移到目标层上，从而形成了尺寸更小的精细图案。在不改变现有光刻基础设施的前提下，增加了光刻的极限。

主权项

一种半导体器件精细图案的制作方法，所述精细图案为相间排列的间隔和线，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积刻蚀目标层、多/非晶硅层和氮化硅层；所述多/非晶硅层的含义为多晶硅层或者非晶硅层；在氮化硅层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，定义精细图案的间隔；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化硅层形成图案化的氮化硅层；去除光阻胶层后，以图案化的氮化硅层为掩膜，对多/非晶硅层进行氧化形成具有第一预定宽度和第一预定深度的氧化硅层；以所述图案化的氮化硅层为掩膜，各向异性刻蚀具有第一预定深度的氧化硅层至显露出多/非晶硅层；去除所述图案化的氮化硅层后，显露出位于所述图案化的氮化硅层下的氧化硅层和未被氧化的多/非晶硅层，各向异性刻蚀多/非晶硅层至显露出刻蚀目标层；所述各向异性刻蚀多/非晶硅层的宽度为精细图案的间隔；以显露出的氧化硅层为掩膜对刻蚀目标层进行刻蚀，形成精细图案；所述显露出的氧化硅层的宽度为精细图案的线；其中线和间隔相间排列，2倍的线宽加上间隔等于所述第一预定宽度。