一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法

摘要

本发明公开了一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法，属于介电质膜刻蚀成型技术领域。具体步骤包括：在介电质膜中厚度为第一预设值的位置生长膜内刻蚀阻挡层；对膜内刻蚀阻挡层进行光刻工艺，定义出需要被刻蚀的区域；对膜内刻蚀阻挡层进行干刻工艺，将需要被刻蚀的区域移除；在膜内刻蚀阻挡层上方生长介电质膜；在介电质膜上方生长氮化钛，并在氮化钛上方涂布光刻胶；对TiN进行曝光显影和刻蚀和通孔的曝光显影；对介电质膜进行一体化刻蚀；上述技术方案的有益效果是：通过在局部区域应用刻蚀阻挡层，在不影响整个介电质膜的介电常数K值的情况下，改善了刻蚀完毕的形貌，减少了对后续工艺带来的不利影响，提高了芯片的性能。

主权项

一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法，应用于双大马士革结构介电质膜中，其特征在于，在对所述双大马士革结构介电质膜进行一体化刻蚀过程中，加入膜内刻蚀阻挡层，具体步骤包括：步骤a，在所述双大马士革结构介电质膜中厚度为第一预设值的位置生长一层膜内刻蚀阻挡层；步骤b，对所述膜内刻蚀阻挡层进行光刻工艺，定义出所述膜内刻蚀阻挡层中需要被刻蚀的区域；步骤c，对所述膜内刻蚀阻挡层进行干刻工艺，将所述需要被刻蚀的区域移除；步骤d，在所述膜内刻蚀阻挡层下方继续进行介电质膜的生长，所述介电质膜的生长厚度为第二预设值；步骤e，在所述介电质膜上方进行氮化钛的生长，并在氮化钛上方进行光刻胶的涂布；步骤f，对所述氮化钛进行曝光显影和刻蚀，定义出所述氮化钛层中需要被刻蚀的区域，并对所述通孔进行曝光显影；步骤g，对所述介电质膜进行一体化刻蚀。