发明名称 一种抗低温氧化的二硅化钼基合金及其制备工艺
摘要 一种抗低温氧化的二硅化钼基合金及其制备工艺,属于抗氧化结构材料技术领域。抗低温氧化的二硅化钼基合金化学表达式为(Mo1-xNx)Si2,其中X处于0~0.5的范围之内,N为Nb、W、Ti、Cr中的一种元素,合金表面具有一层保护膜。将二硅化钼基合金表面磨光,然后把二硅化钼基合金放在空气等氧化性气氛中于1000~1500℃高温烧结10~120分钟,使表面自生形成一层致密的保护膜。优点在于,通过高温使合金表面自动生成一层薄的、致密的、粘结良好的保护膜,该保护膜成为低温氧化时氧的阻挡层,从而使得该二硅化钼基合金具有良好的抗低温氧化性能。本发明针对性强、工艺简单、无需特殊设备、成本低、可以有效抑制二硅化钼基合金的低温粉化现象,具有广泛的实用价值。
申请公布号 CN103060654A 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN201310040771.9 申请日期 2013.02.02
申请人 中国矿业大学 发明人 冯培忠;苏健;王晓虹;孙智;牛继南;强颖怀
分类号 C22C29/18(2006.01)I;C23C8/12(2006.01)I 主分类号 C22C29/18(2006.01)I
代理机构 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 代理人 刘月娥
主权项 一种抗低温氧化的二硅化钼基合金,其特征在于:二硅化钼基合金化学表达式为(Mo1‑xNx)Si2,其中X处于0~0.5的范围之内;所述的(Mo1‑xNx)Si2中N为Nb、W、Ti、Cr中的一种元素;所述的(Mo1‑xNx)Si2合金表面有一层抗低温氧化性能的保护膜。
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