| 发明名称 |
硅纳米结构的制备方法 |
| 摘要 |
一种硅纳米结构的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一生长基底，并将该生长基底与一催化剂材料间隔置于反应室内；向反应室通入流量比10∶1～1∶10的硅源气体与氢气，并加热至500～1100℃，生长硅纳米结构。 |
| 申请公布号 |
CN101550531B |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
| 申请号 |
CN200810066397.9 |
申请日期 |
2008.04.03 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
孙海林;姜开利;李群庆;范守善 |
| 分类号 |
C23C14/18(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/18(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种硅纳米结构的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室；提供一生长基底，并将该生长基底与一催化剂材料间隔置于反应室内；向反应室通入流量比10:1～1:10的硅源气体与氢气，并加热至500～1100℃，生长硅纳米结构；以及停止加热一段时间后，重新加热反应室至500～1100℃，在上述硅纳米结构上进行二次成核，生长枝状的硅纳米结构。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
