使用针对改进感测的不同参考电平的非易失性存储器中的粗略/精细编程验证

摘要

提供非易失性存储器的粗略/精细编程，其中，存储器单元在到达其意图的状态的粗略验证电平之前的第一级编程中编程，且在到达粗略验证电平之后但在到达其意图的状态的最终验证电平之前的第二级编程中编程。与较小的存储器单元相关的大的子阈值摆动因子可以影响感测操作的准确性，尤其是当在粗略验证电平处感测之后在精细验证电平处感测、而在不同的感测之间不对位线进行预充电时。当在粗略验证电平和最终验证电平处感测时使用不同的参考电势。在这些参考电势之间的差异可以补偿在粗略电平感测期间位线的任何放电。

主权项

一种编程非易失性存储器的方法，包括：向一组非易失性存储元件施加一个或多个编程脉冲，以将该组的一个或多个存储元件编程到具体状态；在施加每个编程脉冲之后，通过向该组存储元件施加第一电压并将所述一个或多个存储元件的每个的位线电压与第一参考电势相比较，来验证将所述一个或多个存储元件编程到与该具体状态对应的中间验证电平；在施加每个编程脉冲之后，通过向该组存储元件施加第二电压并将所述一个或多个存储元件的每个的位线电压与第二参考电势相比较，来验证将所述一个或多个存储元件编程到与该具体状态对应的最终验证电平，所述第二参考电势补偿由于验证编程到中间验证电平而引起的所述一个或多个存储元件的每个的位线电压的降低，所述第一电压低于所述第二电压，所述第二参考电势低于所述第一参考电势。