| 发明名称 | 一种多晶硅层间介质刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅层间介质刻蚀方法，该方法包括：先第一湿法刻蚀多晶硅层间介质的上氧化层，再干法刻蚀氮化层，最后第二湿法刻蚀下氧化层和其下方的前层氧化层。本发明提供的方法能够得到较平坦的前层氧化层，减小硅衬底的损伤，降低高压器件栅氧化层的电性厚度的失效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102054782B | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN200910198789.5 | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 吴爱明;李俊;庄晓辉;张世栋;王三坡 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种多晶硅层间介质的刻蚀方法，应用于闪存中制造外围电路区过程中，该方法包括：提供晶圆，所述晶圆的器件面上具有前层氧化层；在所述前层氧化层上沉积多晶硅层；对所述多晶硅层进行光刻和干法刻蚀去除外围电路区多晶硅层；在所述晶圆的器件面沉积多晶硅层间介质，包括上氧化层，氮化层和下氧化层三部分;对所述晶圆的器件面光刻后第一湿法刻蚀去除外围电路区上氧化层；干法刻蚀去除外围电路区的氮化层；第二湿法刻蚀外围电路区的下氧化层和部分前层氧化层，得到前层氧化层的厚度范围是10埃到15埃之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||