一种LED芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种LED芯片，包括衬底，衬底的底面和侧面分别设有反射镜，限制了光线从蓝宝石衬底的侧面和底面逸出，向蓝宝石衬底的侧面和底面发射的蓝光在芯片内部经反射、增强后从芯片表面发出，提高了LED芯片的整体出光率，基于该蓝光LED芯片制作的白光LED单灯的封装工艺变得简单，降低了生产成本，基于该蓝光LED芯片制作的白光LED单灯表面色温均匀。

主权项

一种LED芯片的制造方法，其特征在于：所述LED芯片包括衬底(1)，衬底(1)的底面和侧面分别设有反射镜(10)；所述反射镜(10)的反射率≥90％；所述LED芯片的发光波长在450nm‑465nm之间；所述制造方法包括以下步骤：a、制作LED芯片原片，将LED芯片原片粘贴在蓝膜(15)上；b、将上述LED芯片原片用激光划片，解离成若干个独立的LED芯片(11)；c、然后通过扩膜将相邻的独立LED芯片(11)拉开，使相邻的独立LED芯片(11)之间具有间隙；d、将蓝膜(15)及独立LED芯片(11)翻转后安置在镀膜夹具上，去掉蓝膜(15)，使每个独立LED芯片(11)衬底(1)的底面和侧面裸露；e、在独立LED芯片(11)衬底(1)的侧面和底面蒸镀反射镜(10)；f、最后，将独立LED芯片(11)从镀膜夹具上取下，得到本发明所述的LED芯片。