发明名称 半导体装置和控制模拟开关的方法
摘要 本申请涉及半导体装置和控制模拟开关的方法。一种半导体装置包括:模拟开关,其中P沟道晶体管和N沟道晶体管并联连接在输入端子与输出端子之间;可变电压电路,其根据提供给输入端子的输入电压可变地产生P沟道晶体管的第一栅极电压和第一背栅极电压以及N沟道晶体管的第二栅极电压和第二背栅极电压的电势;以及控制电路,其向可变电压电路提供控制模拟开关导通或不导通的控制信号。响应于导致所述模拟开关导通的所述控制信号,可变电压电路向P沟道晶体管和N沟道晶体管各自的栅极输出可变地产生的第一栅极电压和第二栅极电压。
申请公布号 CN103051314A 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201210321396.0 申请日期 2012.08.31
申请人 富士通半导体股份有限公司 发明人 荒木良太;水谷彻
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 宋鹤
主权项 一种半导体装置,包括:模拟开关,其中P沟道晶体管和N沟道晶体管并联连接在输入端子与输出端子之间;可变电压电路,其根据提供给所述输入端子的输入电压可变地产生所述P沟道晶体管的第一栅极电压和第一背栅极电压以及所述N沟道晶体管的第二栅极电压和第二背栅极电压的电势;以及控制电路,其向所述可变电压电路提供控制所述模拟开关导通或不导通的控制信号,其中响应于导致所述模拟开关导通的所述控制信号,所述可变电压电路向所述P沟道晶体管和所述N沟道晶体管各自的栅极输出可变地产生的第一栅极电压和第二栅极电压。
地址 日本神奈川县