利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法

摘要

本发明公开了一种利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，在致密钝化层覆盖的硅片上，制备单层有序紧密排列的聚苯乙烯纳米球作为模板，生长量子点，并高温退火后可在去除聚苯乙烯纳米球模板的同时得到排列有序且尺寸均匀的量子点。本发明以聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基量子点，不必进行图形化衬底的蚀刻工艺即可得到分布有序的硅基量子点，大大降低了对蚀刻设备的要求，简化了生长硅基量子点的程序。

主权项

一种利用聚苯乙烯纳米球作为模板生长硅基有序量子点的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗硅片，获得表面覆盖致密SiO2钝化层的硅片作为生长量子点的衬底；(2)在(1)所述衬底表面制备单层有序紧密排列的聚苯乙烯纳米球；(3)将步骤(2)制备的表面单层有序紧密排列的聚苯乙烯纳米球的衬底放入分子束外延设备中进行外延生长量子点材料，其中衬底温度为10～100℃，量子点材料蒸发速率为每分钟0.1nm～10nm，蒸发时间为1～30分钟；(4)步骤(3)结束后，进行退火处理20～60分钟，退火温度为300～600℃，即可获得硅基有序量子点。