| 发明名称 | 一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，包括：晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；进行沟槽刻蚀，形成沟槽；进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；阱注入，形成阱和保护环。本发明利用氧化硅在元胞区内部去除速度远大于元胞区外围的性质，选择合适厚度的氧化硅，通过一次湿刻，在去除元胞区内氧化膜的同时在元胞区外围保留一定厚度的氧化硅作为场氧，只需要一次曝光，三次刻蚀，一次注入即能完成MOSFET器件沟槽和保护环的制作，降低了MOSFET器件沟槽和保护环的制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103050404A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201110312427.1 | 申请日期 | 2011.10.14 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 柯行飞;张朝阳 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，其特征是，包括以下步骤：(1)晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；(2)进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；(3)进行沟槽刻蚀，形成沟槽；(4)进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；(5)阱注入，形成阱和保护环。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||