| 发明名称 | 将MEMS连接到接合晶片 | ||
| 摘要 | 通过在MEMS上形成支撑层将MEMS(12)部分地连接到接合晶片(32)上。所述支撑层上形成第一共晶层(16，18)。将所述共晶层图案化为区段(24，26，28，30)以缓解应力。在所述接合晶片上形成第二共晶层(34)。在所述区段与所述第二共晶层之间形成共晶键合(36)以将所述接合晶片连接到所述MEMS上。 | ||
| 申请公布号 | CN103043603A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210327433.9 | 申请日期 | 2012.08.16 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | L·H·卡尔林;H·D·德赛 |
| 分类号 | B81C3/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种将MEMS(12)连接到接合晶片的方法，包括：在所述MEMS上形成第一材料的第一共晶层；将所述第一共晶层图案化为方格形图案；在所述接合晶片上形成第二材料的第二共晶层，其中所述第一材料和第二材料是共晶对；以及在所述第一共晶层和第二共晶层相接触的状态下施加热量和压力，以在所述MEMS和所述接合晶片之间形成共晶键合。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||