一种铜铟镓合金及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铜铟镓合金及其制备方法，该合金由Cu51wt%、In39wt%以及In10%组成，且该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。所述方法以高纯度的铜、铟和镓为原料，通过高真空熔炼的方法，获得了铜铟镓合金。本发明的铜铟镓合金纯度高，且配方合理、新颖，可作为溅射靶材或蒸发料，一步镀膜形成CuInGa层，然后再通过硒化或硫化的方法生成CIGS薄膜，并且该铜铟镓合金可通过非常简便的方法获得。本发明的铜铟镓合金的制备方法简单，且获得的铜铟镓合金的成分及组织均匀。

主权项

一种铜铟镓合金，其特征在于：该合金由Cu 51wt%、In 39wt%以及Ga 10%组成，且杂质元素重量含量满足：Ag<15ppm 、Ni<10ppm 、C<50ppm 、O<600ppm、 Cd<10ppm 、Pb<15ppm 、Co<10ppm 、Sn<25ppm 、Cr<10ppm 、Ti<15ppm 、Fe<10ppm 、V<10ppm、 Hg<10ppm 、Zn<10ppm 、Mn<10ppm、 N<50ppm，该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。