发明名称 |
已做发射区推进的三极管h<sub>fe</sub>的二次增大方法 |
摘要 |
本发明涉及一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益(hfe)的二次增大方法,包括下列步骤:测试晶圆上三极管的hfe;若hfe低于合格值,则对晶圆进行hfe的二次增大,具体包括:将晶圆置于扩散炉内,炉内环境为600~800摄氏度且通入保护气体;将扩散炉的炉内温度升温至1000~1100摄氏度;将扩散炉保温一段时间,保温时间由需要达到的hfe决定,增益越大保温时间越长;将炉内温度降温至600~800摄氏度,然后取出晶圆。本发明对hfe达不到所需倍数的晶圆进行hfe的二次增大,增大后的hfe能够符合要求,从而降低了不良损耗,节省了成本。 |
申请公布号 |
CN103050402A |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201210548254.8 |
申请日期 |
2012.12.17 |
申请人 |
深圳深爱半导体股份有限公司 |
发明人 |
彭充;徐国耀;高志伟;赵彦云 |
分类号 |
H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/331(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
吴平 |
主权项 |
一种已做发射区推进的三极管小信号正向电流增益的二次增大方法,其特征在于,包括下列步骤:测试晶圆上三极管的小信号正向电流增益;若小信号正向电流增益低于合格值,则对所述晶圆进行小信号正向电流增益的二次增大,具体包括:将所述晶圆置于扩散炉内,炉内环境为第一温度且通入保护气体;将所述扩散炉的炉内温度升温至第二温度;将所述扩散炉在第二温度附近保温一段时间;保温时间由需要达到的小信号正向电流增益决定,增益越大所述保温时间越长;将所述炉内温度降温至第三温度,然后取出所述晶圆;所述第一温度为600~800摄氏度,所述第二温度为1000~1100摄氏度,所述第三温度为600~800摄氏度。 |
地址 |
518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号 |