| 发明名称 | 一种SiGe HBT器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiGe HBT器件，包括：P型衬底上部形成有集电区，集电区两侧形成有N型膺埋层和场氧，场氧位于集电区和N型膺埋层上方，场氧上部形成有多晶硅场板，基区形成于集电区和场氧上方，基区上方形成有相邻的发射区和隔离氧化物，隔离侧墙分别形成于多晶硅场板、基区、发射区和隔离氧化物的旁侧，多晶硅场板、基区和发射区通过接触孔引出连接金属连线，N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线并与多晶硅场板金属连线相连，接触孔和深接触孔中形成有过渡金属层，填充有金属钨。本发明还公开了一种SiGe HBT器件的制造方法。本发明的SiGe HBT器件不需要改变集电区的厚度和掺杂浓度，通过改善集电区电场分布提高器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103050520A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201210005131.X | 申请日期 | 2012.01.09 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘冬华;石晶;段文婷;钱文生;胡君 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种SiGe HBT器件，其特征是，包括：P型衬底上部形成有集电区，集电区两侧形成有N型膺埋层和场氧，场氧位于集电区和N型膺埋层上方，场氧上部形成有多晶硅场板，基区形成于集电区和场氧上方，基区上方形成有相邻的发射区和隔离氧化物，部分发射区位于隔离氧化物的上方，隔离侧墙分别形成于多晶硅场板、基区、发射区和隔离氧化物的旁侧，多晶硅场板、基区和发射区通过接触孔引出连接金属连线，N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线并且与多晶硅场板的金属连线相连，接触孔和深接触孔中形成有过渡金属层，填充有金属钨。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||