| 发明名称 | 薄膜晶体管基板和具备它的液晶显示装置 | ||
| 摘要 | 源极部(S)包含在栅极绝缘膜(23)和氧化物半导体膜(24a)的上层设置的源极金属(25s)，漏极部(DR)包含低电阻区域(24ad)，该低电阻区域(24ad)是氧化物半导体膜(24a)中包括与栅极绝缘膜(23)一侧相反的一侧的表面的一部分氧化物半导体膜(24a)低电阻化而得的。 | ||
| 申请公布号 | CN103053014A | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN201180037970.3 | 申请日期 | 2011.05.27 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 美崎克纪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，其具有在所述基板上设置的栅极电极、以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜、在该栅极绝缘膜上在与所述栅极电极相对的位置形成有沟道部的氧化物半导体膜、以及隔着所述沟道部相互分离地配置的源极部和漏极部；以覆盖所述薄膜晶体管的方式设置且具有到达所述漏极部的像素接触孔的保护膜；和在所述保护膜上设置且通过像素接触孔与所述漏极部电连接的像素电极，所述源极部包含在所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体膜的上层设置的源极金属，所述漏极部包含低电阻区域，该低电阻区域是所述氧化物半导体膜中包括与所述栅极绝缘膜一侧相反的一侧的表面的一部分氧化物半导体膜低电阻化而得的。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||