| 发明名称 | 聚合膜的成膜方法和成膜装置 | ||
| 摘要 | 将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板(16)、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板(15)以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器(2)内相对向配置，使处理容器2内为真空环境，将第1基板(16)加热至上述多种原料(17、18)蒸发的第1温度使其蒸发，并且将第2基板(15)加热至多种原料发生聚合反应的第2温度，使从第1基板(16)蒸发的多种原料(17、18)在第2基板(15)的成膜面反应，在成膜面形成规定的聚合膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102160156B | 申请公布日期 | 2013.04.17 |
| 申请号 | CN200980136346.1 | 申请日期 | 2009.07.17 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 河野有美子;柏木勇作 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I;C23C14/12(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种聚合膜的成膜方法，其特征在于，包括：将在原料形成面上以规定图案固态形成有用于形成所述聚合膜的多种原料的第1基板和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板以所述原料形成面和所述成膜面相对的方式在处理容器内相对向配置的工序；接着，使所述第1基板和所述第2基板这样配置的所述处理容器内为真空环境并设定为规定真空度的工序；和接着，在所述规定的真空度下，将所述第1基板加热至所述原料形成面上的所述多种原料蒸发的第1温度，并且将所述第2基板加热至在所述成膜面上所述多种原料发生聚合反应的第2温度的工序，通过使从所述第1基板蒸发的多种原料在所述第2基板的所述成膜面上反应，在所述成膜面上形成所述聚合膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||