发明名称 |
一种工作温度可控的多芯片组件 |
摘要 |
本实用新型公开了一种温度可控多芯片组件,具有管壳基座、管脚、多层低温共烧陶瓷基片、片式元件、集成电路芯片Ⅰ、集成电路芯片Ⅱ、阻带和导带/键合区;多层共烧陶瓷基片由多层陶瓷烧结而成,在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带;在多层共烧陶瓷基片的第二层陶瓷版上埋置有厚膜热敏电阻,其位置正对温度较敏感的集成电路芯片Ⅰ;在该基片正面用多芯片三维平面方式集成有导带、阻带、集成电路芯片Ⅰ、集成电路芯片Ⅱ、小容量电感、电容和微型元器件;在该基片背面集成有半导体热电致冷器。使用本实用新型的器件长期工作在某一特定的工作温度范围内,能确保器件长期工作的温度稳定性,提高器件的长期可靠性。 |
申请公布号 |
CN202888170U |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201220533202.9 |
申请日期 |
2012.10.18 |
申请人 |
贵州振华风光半导体有限公司 |
发明人 |
杨成刚;苏贵东;刘俊 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
贵阳中工知识产权代理事务所 52106 |
代理人 |
刘安宁 |
主权项 |
一种温度可控多芯片组件,它具有管壳基座(1)、管脚(2)、多层低温共烧陶瓷基片(3)、片式元件(4)、集成电路芯片Ⅰ(5)、集成电路芯片Ⅱ(6)、阻带(7)和导带/键合区(8);多层共烧陶瓷基片(3)由多层陶瓷烧结而成,在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带;其特征在于在多层共烧陶瓷基片(3)的第二层陶瓷版上埋置有厚膜热敏电阻(9),其位置正对温度较敏感的集成电路芯片Ⅰ(5);在该基片正面用多芯片三维平面方式集成有导带、阻带(7)、集成电路芯片Ⅰ(5)、集成电路芯片Ⅱ(6)、小容量电感、电容和微型元器件;在该基片背面集成有半导体热电致冷器(10),并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过通孔的形式连接到表面键合区。 |
地址 |
550018 贵州省贵阳市新添大道北段238号 |