一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法，其特征在于，按重量百分数，包括下述组分：碳化硅粉末30％～45％、碳粉粉末5％～10％、硅粉35％～50％以及粘接剂酚醛树脂3％～12％。先将碳化硅粉末、碳粉以及硅粉粉末球磨湿混，得到混合粉末，加入粘接剂酚醛树脂造粒，模压成型，然后将成型生坯烘干后，放入空气炉中排胶。排胶完成后将其按照反应烧结工艺烧结，将反应烧结得到的制品在2000℃以上的高温下进行再结晶处理及排硅，得到单一物相的多孔碳化硅材料。本发明制备的多孔碳化硅材料具有孔隙度可控、强度高，耐腐蚀性和热稳定性好的特点，可广泛用作高温气氛及腐蚀性气氛下的过滤材料，也可以用作化学反应的载体材料以及高温隔热。

主权项

一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）按重量百分数，将下述组分：碳化硅粉末30%～45%、碳粉粉末5%～10%、硅粉35%～50%、酚醛树脂3%～12%分别称量，先将碳化硅粉末、碳粉粉末以及硅粉三种原料用无水乙醇作为分散剂湿法球磨制备成混合粉末；将混合粉末干燥后加入用无水乙醇完全溶解的酚醛树脂，搅拌均匀后造粒；（2）将上述造粒料装入模具型腔内，模压成型；将压制好的生坯于140℃干燥固化；（3）成型好的试样在真空烧结炉中升温至1450℃～1550℃进行反应烧结获得预烧结体，烧结时间为0.5～1h，烧结气氛为氮气气氛；（4）将预烧结体置于感应烧结炉中加热至2000℃～2300℃，保温10～30min，实现排硅和晶粒的再结晶过程，即可得到孔隙率可调的单相的多孔碳化硅陶瓷。