低漏电的低压二极管芯片

摘要

本实用新型揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一极和第二极，所述三极管区具有发射极、基极和集电极，所述第一极与所述发射极电相连，所述第二极与所述集电极电相连；以及第一电极和第二电极。本实用新型的低漏电的低压二极管芯片，能够使得该低漏电的低压二极管芯片在施加反向电压时，反向漏电流达到纳安级。

主权项

一种低漏电的低压二极管芯片，包括： 第一导电类型的衬底； 外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的第一导电类型的隔离，所述隔离的下表面接触所述衬底，所述高压二极管区具有第一极和第二极，所述三极管区具有发射极、基极和集电极，所述发射极与基极之间的击穿电压大于等于所述外延层材料的最低雪崩击穿电压，所述发射极和集电极的击穿电压小于等于所述外延层材料的最高隧道击穿电压，所述高压二极管区的第一极与所述三极管区的发射极电相连，所述高压二极管区的第二极与所述三极管区的集电极电相连；以及 第一电极和第二电极，所述第一电极与所述高压二极管区的第一极和所述三极管区的发射极电相连，所述第二电极与所述高压二极管区的第二极和所述三极管区的集电极电相连。