发明名称 一种双层ITO的布线结构
摘要 本发明公开了一种双层ITO的布线结构,每层ITO上分别设有驱动电极和感测电极,所述感测电极依次顺序布设在两个相邻驱动电极的空隙内,所述驱动电极和感测电极均呈“王”字型,包括第一纵轴、第二纵轴、第三纵轴和横轴,其中驱动电极的横轴宽度大于纵轴的宽度,感测电极第二纵轴的宽度和长度分别大于第一纵轴、第二纵轴及横轴的宽度和长度,且所述第二纵轴的四角为倒角。本发明通过使电极与电极之间充分耦合,显著提高了整个ITO层的信号强度和灵敏度,提高了电极的信噪比,并且克服了外观上存在的视角问题。
申请公布号 CN103049134A 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201210555565.7 申请日期 2012.12.20
申请人 苏州瀚瑞微电子有限公司 发明人 杜小雷
分类号 G06F3/041(2006.01)I 主分类号 G06F3/041(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种双层ITO的布线结构,每层ITO上分别设有驱动电极和感测电极,所述感测电极依次顺序布设在两个相邻驱动电极的空隙内,其特征在于,所述驱动电极和感测电极均呈“王”字型,包括第一纵轴、第二纵轴、第三纵轴和横轴,其中驱动电极的横轴宽度大于纵轴的宽度,感测电极第二纵轴的宽度和长度分别大于第一纵轴、第二纵轴及横轴的宽度和长度,且所述第二纵轴的四角为倒角。
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