发明名称 |
一种双层ITO的布线结构 |
摘要 |
本发明公开了一种双层ITO的布线结构,每层ITO上分别设有驱动电极和感测电极,所述感测电极依次顺序布设在两个相邻驱动电极的空隙内,所述驱动电极和感测电极均呈“王”字型,包括第一纵轴、第二纵轴、第三纵轴和横轴,其中驱动电极的横轴宽度大于纵轴的宽度,感测电极第二纵轴的宽度和长度分别大于第一纵轴、第二纵轴及横轴的宽度和长度,且所述第二纵轴的四角为倒角。本发明通过使电极与电极之间充分耦合,显著提高了整个ITO层的信号强度和灵敏度,提高了电极的信噪比,并且克服了外观上存在的视角问题。 |
申请公布号 |
CN103049134A |
申请公布日期 |
2013.04.17 |
申请号 |
CN201210555565.7 |
申请日期 |
2012.12.20 |
申请人 |
苏州瀚瑞微电子有限公司 |
发明人 |
杜小雷 |
分类号 |
G06F3/041(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/041(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种双层ITO的布线结构,每层ITO上分别设有驱动电极和感测电极,所述感测电极依次顺序布设在两个相邻驱动电极的空隙内,其特征在于,所述驱动电极和感测电极均呈“王”字型,包括第一纵轴、第二纵轴、第三纵轴和横轴,其中驱动电极的横轴宽度大于纵轴的宽度,感测电极第二纵轴的宽度和长度分别大于第一纵轴、第二纵轴及横轴的宽度和长度,且所述第二纵轴的四角为倒角。 |
地址 |
215163 江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1栋3楼 |