发明名称 半导体发光装置
摘要 本发明公开了一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括形成在基板(1)上且由包括发光层(4)的多个半导体层构成的层叠构造体。层叠构造体具有包括设置在该层叠构造体上部的脊构造的光波导(14),光波导(14)被设置成从层叠构造体的前端面(12)延伸到后端面(13),光波导(14)包括与层叠构造体的前端面(12)的法线倾斜着从该前端面(12)延伸的直线波导部(14a)和垂直地到达层叠构造体的后端面(13)的曲线波导部(14b)。曲线波导部(14b)形成在以该光波导(14)的中心为基准层叠构造体的后端面(13)一侧。
申请公布号 CN103053035A 申请公布日期 2013.04.17
申请号 CN201080068429.4 申请日期 2010.12.17
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 大野启
分类号 H01L33/02(2006.01)I 主分类号 H01L33/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体发光装置,其特征在于:该半导体发光装置包括形成在基板上且由包括发光层的多个半导体层构成的层叠构造体,所述层叠构造体具有包括设置在该层叠构造体上部的脊构造的光波导,所述光波导被设置成从所述层叠构造体的前端面延伸到后端面,该光波导包括与所述层叠构造体的前端面的法线倾斜着从该前端面延伸的直线波导部和垂直地到达所述层叠构造体的后端面的曲线波导部,所述曲线波导部形成在以该光波导的中心为基准所述层叠构造体的后端面一侧。
地址 日本大阪府