| 摘要 |
本发明系关于一种制造3维单片记忆体装置之方法。非晶形碳上之氮氧化矽(SixOyNz)可用作对矽、氧化物及钨具有高选择性之有效、易于移除之硬式光罩。使用光阻剂层蚀刻氮氧化矽层，且使用该所得经蚀刻之SixOyNz层蚀刻非晶形碳层。使用该非晶形碳层蚀刻矽、氧化物及/或钨层。在一实施例中，该3维单片记忆体装置之导电轨系藉由使用图案化非晶形碳层作为硬式光罩来蚀刻诸如二氧化矽(SiO2)之氧化物层而形成。记忆体单元二极体系藉由使用另一图案化非晶形碳层作为硬式光罩来蚀刻多晶矽层而形成为在该等导电轨之间的多晶矽中之柱。类似地形成额外层级之导电轨及记忆体单元二极体以建造该3维单片记忆体装置。 |
