| 发明名称 | 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。本发明的RFLDMOS具有比普通RFLDMOS更低的RDSON，较大的BV，同时具有较低的输出电容。同时，本发明采用外延生长技术，使得外延层的厚度、导电类型、掺杂浓度等均易于控制，并且减少了一次漂移区离子注入和光刻过程。 | ||
| 申请公布号 | CN103035674A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210403275.0 | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，其特征在于：所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||