半导体器件中负载电流的过零检测

摘要

本发明涉及半导体器件中负载电流的过零检测，公开了一种电路布置，包括具有栅电极和在发射极与集电极之间的电流路径的反向导通晶体管。该晶体管被构造成允许在正向上和反向上传导的负载电流通过负载电流路径并且被构造成通过在栅电极的相应信号被激活或被禁用。该电路布置还包括栅极控制单元和监控单元。栅极控制单元被连接至栅电极并且被构造成禁用该晶体管或者防止当晶体管处于反向导通状态时经由栅电极的晶体管的激活。监控单元被构造成检测，在晶体管通过栅极控制单元被禁用或防止激活的同时，在该负载电流过零时产生的，反向导通晶体管的集电极-发射极电压的突然上升。

主权项

一种电路布置，包括：反向导通晶体管，具有栅电极和在发射极与集电极之间的负载电流路径，所述晶体管被构造成允许在正向上和反向上使负载电流传导通过所述负载电流路径，并且被构造成通过在栅电极的相应信号被激活或被禁用；栅极控制单元，被连接至栅电极并且被构造成禁用所述晶体管或者防止当所述晶体管处于反向导通状态时经由所述栅电极激活所述晶体管；以及监控单元，被构造成检测在所述晶体管被禁用或通过所述栅极控制单元防止激活时，在所述负载电流过零时产生的所述反向导通晶体管的集电极‑发射极电压的突然上升。