发明名称 |
薄膜晶体管像素结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种薄膜晶体管像素结构及其制作方法,薄膜晶体管像素结构包括基材、第一导电层、栅极绝缘层、通道层、第二导电层、接触孔、保护层以及透明导电层。制作方法主要是形成栅极绝缘层于基材上,并且覆盖扫描线、栅极层以及遮蔽层;并且形成第二导电层于基材上,并且图案化第二导电层,以形成数据线、连接数据线的漏极层以及源极层于通道层上,栅极层、通道层、源极层以及漏极层形成若干薄膜晶体管,其中通道层介于遮蔽层和源极层之间,当光线照射基材时,通过遮蔽层沿着光线的照射方向与通道层相对应设置,使遮蔽层可遮蔽光线无法照射通道层,可以解决画面显示异常以及显示残影的问题,并且不会将低薄膜晶体管像素结构的开口率。 |
申请公布号 |
CN103035653A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201210382064.3 |
申请日期 |
2012.10.10 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
王金杰 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种薄膜晶体管像素结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括下列步骤:形成一第一导电层于一基材上;图案化所述第一导电层,以形成扫描线、电性连接所述扫描线的栅极层、以及遮蔽层于所述基材上;形成一栅极绝缘层于所述基材上,并且覆盖所述扫描线、所述栅极层以及所述遮蔽层;形成一通道层于所述栅极绝缘层上,所述通道层与所述栅极层相对应设置;形成一第二导电层于所述基材上,并且图案化所述第二导电层,以形成数据线、连接所述数据线的一漏极层以及一源极层于所述通道层上,所述栅极层、所述通道层、所述源极层以及所述漏极层形成若干薄膜晶体管,其中所述通道层介于所述遮蔽层和所述源极层之间,当一光线照射所述基材时,通过所述遮蔽层沿着所述光线的照射方向与所述通道层相对应设置,使所述遮蔽层可遮蔽所述光线无法照射所述通道层;以及形成一透明导电层,使所述透明导电层电性连接所述源极层,以形成若干像素电极。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |