一种硅片的临时键合方法

摘要

本发明公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）将需要键合的硅片切割去除一外环，使其直径变小，2）在所述硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤，3）将所述硅片和载片进行临时键合，4）将所述硅片背面研磨减薄，5）进行硅片背面工艺，6）将减薄后的硅片从载片上解离。本发明因使用了和硅片直径一样的载片进行键合，使键合后的硅片在其背面进行传统的半导体工艺时，所使用的设备能和键合前的设备兼容，解决了传统键合/解离工艺中因必须使用较硅片直径更大的载片而引起的设备兼容性问题，提高了设备的利用率。

主权项

一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下：（1）将需要键合的硅片切割去除一外环，使其直径变小；（2）在所述硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；（3）将所述硅片和载片进行临时键合；（4）将所述硅片背面研磨减薄；（5）进行硅片背面工艺；（6）将减薄后的硅片从载片上解离。